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哈密nba竞猜请参阅类似替代器件 特性 L

编辑:哈密nba竞猜 日期:2018-12-24 人气:52

哈密nba竞猜请参阅类似替代器件 特性 L

  随着电子技术的飞速发展,现代电子测量装置往往需要负电源为其内部的集成电路芯片与

  负电源的好坏很大程度上影响电子测量装置运行的性能,严重的话会使测量的数据大大偏离预期。目前,电子测量装置的负电源通常采用抗干扰能力强,效率高的哈密nba竞猜电源供电方式。以往的哈密nba竞猜电源技术通过nba实现负电压的输出,但这会增大负电源的体积以及电路的复杂性。而随着越来越多专用集成DC/DC控制芯片的出现,使得电路简单、体积小的非负电压哈密nba竞猜电源在电子测量装置中得到了越来越广泛的应用。因此,对非负电压哈密nba竞猜电源的研究具有很高的实用价值。

  传统的非负电压哈密nba竞猜电源的电路拓扑有以下两种,如图1、图2所示。图3是其输出电容的充电波形。由图3可见,采用图2结构的可获得输出纹波更小的负电压电源,并且在相同电感峰值的情况下其带负载能力更强。由于图2的哈密nba竞猜器件要接在电源的负极,这会使得其控制电路会比图1来得复杂,因此在市场也没有实现图2电路结构(类似于线功能)的负电压哈密nba竞猜电源控制芯片。

  为了弥补现有非负电压哈密nba竞猜电源技术的不足,以获得一种带负载能力强、输出纹波小的非负电压哈密nba竞猜电源,本文提出一种采用Boost哈密nba竞猜电源控制芯片LT1935及分立元件实现了图2所示原理的基于峰值控制的新型非负电压DC/DC哈密nba竞猜电源。

  本文设计的非负电压DC/DC哈密nba竞猜电源如图4所示,负电源工作在连续模式。当电源控制器LT1935内部的功率三极管导通时,直流电源给输出电感L1和输出电容C1充电。当电源控制器LT1935内部的功率三极管关断时,输出电感L1中的改由通过肖特基二极管VD1提供的低阻抗回路继续给输出电容C1充电直至下一个周期电源控制器LT1935内部的功率三极管再次导通。可见电容C1在输出电感L1储存能量和释放能量的过程中均获得充电,从而减小了输出纹波电压。同时,在CCM条件下,输出在LT1935内部功率三极管的导通和关断期间均通过输出电感L1,这很大程度上抑制了输出的波动,降低了输出纹波的影响,进而大大增加系统的带负载能力和效率。

  反馈控制回路采用了峰值控制。相比传统的电压控制,峰值控制一方面能很好的改善电源的动态响应,另一方面还能实现快速的过保护,很大程度上提高了系统的可靠性。由于采用了电源控制器LT1935,其内部集成了峰值电路控制电路和斜坡补偿电路,非负电压DC/DC哈密nba竞猜电源反馈回路设计即转换为补偿网络设计,进而大大简化了反馈回路的设计。

  为防止过高的直流电源对电源控制器的危害,这里使用稳压管VD2和VD3实现过电压保护。

  从本质上来讲,本文介绍的非负电压DC/DC哈密nba竞猜电源为非负电压Buck哈密nba竞猜电源,其等效功率级电路原理图如图5所示,这里考虑了输出电容的等效串联电阻Resr对系统的影响。

  图6给出图5利用平均电路法建立的非负电压Buck哈密nba竞猜电源CCM大信号模型。设Vi为输入电压的稳态值,Vo为输出电压的稳态值,Vpc为受控电压源两端电压的稳态值,Ii为输入的稳态值,IL为输出电感的稳态值,D为占空比的稳态值。

  若小信号干扰满足D,忽略二次项并化简等式(3)和等式(4)得,的线性化表达式为:

  根据等式(5)和等式(6),即可得到图7所示的用理想nba表示非负电压Buck哈密nba竞猜电源的CCM小信号模型。

  图8为连续模式下峰值控制(CCMCPM)型非负电压Buck哈密nba竞猜电源的系统框图。控制环路包括了内环和电压外环两个部分。补偿网络属于电压外环,因此设计补偿网络需要先建立包含控制内环的小信号模型。

  假设系统稳定,且忽略输出电感纹波电压及人工斜坡补偿的影响,则输出电感等于控制,即:

  根据图7所示的非负电压Buck哈密nba竞猜电源CCM小信号模型,同时将等式(7)带入化简得,CCM-CPM型非负电压Buck哈密nba竞猜电源的动态方程为:

  利用等式(8)和等式(9)可以很容易的建立图9所示的CCM-CPM型非负电压Buck哈密nba竞猜电源小信号模型。

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  DRV5056是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁南极的磁通密度。该器件可用于各种应用中的定位传感。 具有单极磁响应,模拟输出在没有磁场时驱动0.6 V,在应用南磁极时增加。该响应化了感应一个磁极的应用中的输出动态范围。四种灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步化输出摆幅。 该器件采用3.3 V或5 V电源供电。检测垂直于封装顶部的磁通量,并且两个封装选项提供不同的感测方向。 该器件采用比率式架构,可在外部时小化V CC 容差的误差模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为参考。此外,该器件还具有magnettemperature补偿功能,可抵消磁体在-40C至+ 125C宽温度范围内的线性性能漂移情况。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 采用3.3 V和5V电源供电具有0.6V静态偏移的模拟输出: 化电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(在V CC = 5 V): A1:200 mV /mT,20 mT范围 A2:100 mV /mT,3...

  HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器,可在小型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量。电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件,以消散冷凝和水分。 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值,可提供警报和系统唤醒,无需微控制器连续监控系统。与可编程采样间隔,低功耗和1.8V电源电压相结合,HDC2080是专为电池供电系统而设计。 HDC2080为各种环境监测和物联网(IoT)应用提供高精度测量功能,如智能恒温器和智能家居助手。对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计,可通过HDC2010获得较小的CSP封装选项,并与HDC2080完全兼容。 对于具有严格功率预算限制的应用,自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量。此功能允许用户将微控制器配置为深度睡眠模式,因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量。 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器。此外,HDC2080的功耗显着降低,有助于限度地减少自热并提高测量精度。 HDC2080出厂校准温度精度为0.2C,相对湿度精度为2%。 特性 ...

  HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿度和温度传感器,能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部,有助于HDC2010免受粉尘,灰尘以及其他环境污染物的影响,从而更加稳定可靠。电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值,可提供警报/系统唤醒,而无需微控制器持续监控系统。同时,HDC2010具有可编程采样间隔,固有功耗较低,并且支持1.8V电源电压,非常适合电池供电系统。 HDC2010为各种环境监测应用和物联网(IoT)(如智能恒温器,智能家居助理和可穿戴设备)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿度数据,以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达。 ? DC2010经过工厂校准,温度精度为0.2C,相对湿度精度为2%,并配备了加热元件,可消除冷凝和湿气,从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40C至125 C,哈密nba竞猜相对湿度范围为0%至100%。 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

  DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p>

  通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用小功率的情况下监控移动变化。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装。 特性 行业的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL =低电平:使用1.3A(1.8V)时为20Hz SEL =高电平:使用142A(1.8V)时为2.5kHz V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 高磁性灵敏度:2mT(典型值) 可靠磁滞: 4mT(典型值) 推挽式CMOS输出 小型纤薄X2SON封装 运行温度范围:-40C...

  DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行的位置检测,应用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应,无磁场时可驱动0.6V的电压,存在南磁极时电压会升高。对于感应一个磁极的应用,此响应可以限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步限度提高输出摆幅。 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测到到直管封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的感应方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在广泛的-40C至+ 150 C温度范围内实现线性特性。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供0.6V静态失调电压: 限度提高电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1:200mV /mT,20mT范围 A2:100mV...

  DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行的位置检测,应用范围广泛。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供的输出电压摆幅。南北磁极产生的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体温漂,在广泛的-40C至+ 150C温度范围内实现线性特性。 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V 电源供电 模拟输出,提供 VCC/2 静态失调电压 磁性灵敏度选项(VCC = 5V 时): A1:100mV/mT,21mT 范围 A2:50mV/mT,42mT 范围 A3:25mV/mT,85mT 范围 ...

  DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行的位置检测,应用范围广泛低功耗是一个关键问题。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供的输出电压摆幅。南北磁极产生的电压。 它可检测垂直于封装顶部的磁通量,而且两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除V CC 容差产生的误差。哈密nba竞猜此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在较宽的-40C至125C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产。 比例式线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供V CC /2静态失调电压 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1 :100mV /mT,21mT范围 A2:...

  HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器,其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工作电源电压范围,并且相比竞争解决方案,该器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势。湿度和温度传感器均经过出厂校准。 特性 相对湿度精度为2%(典型值) 温度精度为0.2C(典型值) 高湿度下具有出色的稳定性 14位测量分辨率 睡眠模式的为100nA 平均电源: 1sps,11位相对湿度(RH)测量时为710nA 1sps,11位RH与温度测量时为为1.3A 电源电压范围:2.7V至5.5V 3mm x 3mm小型器件封装 I 2 C接口 应用 制热,通风与空调控制(HVAC) 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用哈密nba竞猜 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线) ...

  DRV5032器件是一款超低功耗数字哈密nba竞猜霍尔效应传感器,专为紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值,采样率,输出驱动器和封装以适配各种应用。 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,器件会输出低电压。输出会保持低电压,直到磁通量密度低于乙 RP ,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗,具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器,该器件可对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作,并采用标准SOT-23和小型X2SON封装。 特性 行业的超低功耗 5Hz版本:0.54A,1.8V 20Hz版本:1.6A,3V V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 磁性阈值选项(B OP ): 3.9 mT,灵敏度 4.8mT,高灵敏度 9.5 mT,中等灵敏度 63mT,灵敏度 ...

  LMT90是一款精准的集成电路温度传感器,此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40C至+ 125C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏(摄氏温度)温度(+ 10mV /C)成线性正比,并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压。此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值。对于-40C至+ 125C的温度范围,LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情况下即可在室温下提供3C的精度,并在整个-40C至+ 125C温度范围内提供4C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静态少于130A,因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 C水平上。 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产。 应用范围 工业领域 制热,通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

  LMT86-Q1是精密CMOS温度传感器,典型精度为0.4C(值为2.7C),线性记录输出电压与温度。 2.2V电源电压工作,5.4A静态和0.7ms上电时间,有效的功率循环架构可限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内保持2.7C的精度,无需校准;这使得LMT86-Q1适用于信息娱乐,集群和动力系统等汽车应用。 LMT86-Q1在宽工作范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品。 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件,请参考可比替代器件 LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT86-Q1符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40C至+ 150C 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESDClassification Level C6 非常:0.4C典型 2.2 V低工作 平均传感器增益-10.9 mV /C ...

  LMT85是一款高精度CMOS温度传感器,其典型精度为0.4C(值为2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电压,5.4A静态和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,例如烟雾和热量探测器。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT85成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT85LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常:典型值0.4C 1.8V运行 -8.2mV /C的平均传感器增益 5.4A低静态 宽温度范围:-50C至150C 输出受到短路保护 具有50A驱动能力的推挽输出

  LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型,高精度,低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟温度传感器LMT70几乎适用于所有高精度,低功耗的经济高效型温度感测应用,例如物联网(IoT)传感器节点,医疗温度计,高精度仪器仪表和电池供电设备.LMT70也是RTD和高精度NTC /PTC热敏电阻的理想替代产品。 多个LMT70可利用输出使能引脚来共用一个模数转换器(ADC)通道,从而简化ADC校准过程并降低精密温度感测系统的LMT70还具有一个线性低阻抗输出,支持与现成的微控制器(MCU)/ADC无缝连接.LMT70的热耗散低于36W,这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保持高精度。 LMT70A具有出色的温度匹配性能,同一卷带中取出的相邻两个LMT70A的温度多相差0.1C。因此,对于需要计算热量传递的能量计量用而言,LMT70A是一套理想的解决方案。 特性 精度: 20C至42C范围内为0.05C(典型值)或0.13 C(值) -20C至90C范围内为0...

  TMP75B-Q1是一款集成数字温度传感器,此传感器具有一个可由1.8V电源供电运行的12位模数转换器(ADC),并且与行业标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容。此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装,不需要外部元件便可测温.TMP75B-Q1能够以0.0625C的分辨率读取温度,额定工作温度范围为-40C至125C。 TMP75B-Q1特有系统管理总线(SMBus)和两线制接口兼容性,并且可在同一总线上,借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件。利用可编程温度限值和ALERT引脚,传感器既可作为一个独立恒温器运行,也作为一个针对节能或系统关断的过热警报器运行。

  厂家校准的温度精度和抗扰数字接口使得TMP75B-Q1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的解决方案,而且无需针对分布式温度感测进行额外的系统级校准或复杂的电路板局布线非常适用于各类汽车应用中的热管理和保护,而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替代元件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: ...

  LM98714是一款完全集成的高性能16位,45 MSPS信号处理解决方案,适用于数码彩色复印机,扫描仪和其他图像处理应用。采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量,CDS通常用于CCD阵列,或采样和保持(S /H)输入(用于接触式图像传感器和CMOS图像传感器)。信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA),9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路。 PGA和偏移DAC独立编程,为三个输入中的每一个提供的增益和偏移值。然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)。全差分处理通道具有出色的抗噪能力,具有-74dB的极低本底噪声。 16位ADC具有出色的动态性能,使LM98714在图像复制链中透明。 特性 LVDS /CMOS输出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程输入钳位电压 灵活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

  LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作温度范围为-55C至130C。其工作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线C的环境温度下的精度通常为1.5C。温度误差线性增加,并且在温度范围时达到一个2.5C的值。此温度范围受电源电压的影响。当电源电压范围为2.7V至5.5V时,温度范围的上下限分别130C和-55C。当电源电压降至2.4V时,下限值将变为-30C,而上限值将保持在130C。 工业 制热,通风与空调控制(HVAC) 汽车 磁盘驱动器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话

  汽车 所有商标均为其各自所有者的财产。所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比模拟温度传感器 Local Sensor Accuracy (Max) (+/- C) ...

  LMT84-Q1是一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为0.4C(值为2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.5V工作电源电压,5.4A静态和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,哈密nba竞猜以限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT84-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内可保持2.7C的精度,且无需校准;因此LMT84-Q1适用于汽车应用,例如信息娱乐系统,仪表组和动力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT84-Q1成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件 特性 LMT84-Q1符合AEC-Q100标准且适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40C至+ 150C 器件人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件CDM ESD分类等级C6 非常:典型值0.4C 1.5V运行 -5...

  TMP75和TMP175器件属于数字温度传感器,是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品。无需校准或外部组件信号调节即可提供典型值为1C的精度。器件温度传感器为高度线性化产品,无需复杂计算或查表即可得知温度。片上12位模数转换器(ADC提供低至0.0625C的分辨率。这两款器件采用行业标准LM75 SOIC-8和MSOP-8封装。 TMP175和TMP75与SMBus,两线器件允许一条总线都具有SMBus报警功能。 TMP175和TMP75 TMP175和TMP75器件的额定工作温度范围为-40C至+125 ℃。 TMP75生产单元完全通过可追溯NIST的传感器测试,并且已借助可追溯NIST的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准进行验证。末尾新增了一段内容 特性 TMP175:27个地址 TMP75:8个地址,美国国家标准与技术研究所(NIST)可追溯 数字输出:SMBus...
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